Critical layer thickness study in In0.75Ga0.25As/In0.5Al0.5As pseudomorphic resonant tunneling diode structure grown on GaAs substrates
Critical layer thickness study in In0.75Ga0.25As/In0.5Al0.5As pseudomorphic resonant tunneling diode structure grown on GaAs substrates
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GaAs 衬底上生长的 In0.75Ga0.25As/In0.5Al0.5As 赝晶谐振隧道二极管结构的临界层厚度研究
DOI：
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发表时间：
2001
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Yamada
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Gozu;T. Kita;T. Kikutani;S. Yamada
