Lateral tunneling injection and peripheral dynamic charging in nanometer-scale Schottky gates on A1GaN/GaN heterostructure transistors
Lateral tunneling injection and peripheral dynamic charging in nanometer-scale Schottky gates on A1GaN/GaN heterostructure transistors
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A1GaN/GaN 异质结构晶体管上纳米级肖特基栅极的横向隧道注入和外围动态充电
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Hasegawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J.Kotani;S.Kasai;T.Hashizume;H.Hasegawa
