Experimental demonstration of high-gain CMOS inverter operation at low V <sub> dd </sub> down to 0.5 V consisting of WSe<sub>2</sub> n/p FETs
Experimental demonstration of high-gain CMOS inverter operation at low V <sub> dd </sub> down to 0.5 V consisting of WSe<sub>2</sub> n/p FETs
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由 WSe<sub>2</sub> n/p FET 组成的高增益 CMOS 逆变器在低至 0.5V 的低 V <sub> dd </sub> 下运行的实验演示
DOI：
10.35848/1347-4065/ac3a8e
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发表时间：
2022
影响因子：
1.5
通讯作者：
Wakabayashi Hitoshi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kawanago Takamasa;Matsuzaki Takahiro;Kajikawa Ryosuke;Muneta Iriya;Hoshii Takuya;Kakushima Kuniyuki;Tsutsui Kazuo;Wakabayashi Hitoshi
