Initial reaction processes on SiC surfaces during thermal oxidation: A first-principles study
Initial reaction processes on SiC surfaces during thermal oxidation: A first-principles study
复制标题
热氧化过程中 SiC 表面的初始反应过程：第一性原理研究
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Hiroyuki Kageshima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Ayako Ito;Toru Akiyama;Kohji Nakamura;Tomonori Ito;Kenji Shiraishi;and Hiroyuki Kageshima
