Studies on Self-assembled Ge Quantum Dots on a Si1-xCx Layer Grown by Solid Source Molecular Beam Epitaxy
Studies on Self-assembled Ge Quantum Dots on a Si1-xCx Layer Grown by Solid Source Molecular Beam Epitaxy
复制标题
固源分子束外延生长Si1-xCx层上自组装Ge量子点的研究
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Michio Kondo
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kazuhiro Gotoh;Ryuji Oshima;Takeyoshi Sugaya;Isao Sakata;Koji Matsubara;Michio Kondo
