SixGe1 − x single crystals grown by the RF-heated float zone technique
SixGe1 − x single crystals grown by the RF-heated float zone technique
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通过射频加热浮区技术生长的 SixGe1 − x 单晶
DOI：
10.1016/0022-0248(95)00968-x
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发表时间：
1996
影响因子：
1.8
通讯作者：
W. Schröder
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Wollweber;D. Schulz;W. Schröder
