レーザー分子線エピタキシー法を用いた強磁性半導体EuO薄膜の作製
レーザー分子線エピタキシー法を用いた強磁性半導体EuO薄膜の作製
复制标题
激光分子束外延法制备铁磁半导体EuO薄膜
DOI：
--
复制
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
山崎高志
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ryotaro Manabe;Jun Aoyama;Kunihiro Watanabe;Miho Kawai;Michael Miller;Katsumi Tsukamoto;Ryotaro Manabe;T.Yamasaki;山崎高志;山崎高志;山崎高志;山崎高志;山崎高志
