Charge-noise-limited coherence and three-nines fidelity of an enriched Si/SiGe spin qubit
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富集 Si/SiGe 自旋量子位的电荷噪声限制相干性和三九保真度
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Tarucha
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Yoneda;K. Takeda;T. Otsuka;T. Nakajima;M. R. Delbecq;G. Allison;T. Honda;T. Kodera;S. Oda;Y. Hoshi;N. Usami;K. M. Itoh;S. Tarucha
