Cause for the Mobility Drop in SiC MOSFETs with Heavily-Doped p-Bodies
Cause for the Mobility Drop in SiC MOSFETs with Heavily-Doped p-Bodies
复制标题
具有重掺杂 p 体的 SiC MOSFET 迁移率下降的原因
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and T. Kimoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Kobayashi;S. Nakazawa;T. Okuda;J. Suda;and T. Kimoto
