Investigation of the properties of SiGe islands by selective wet chemical etching and scanning probe microscopy
Investigation of the properties of SiGe islands by selective wet chemical etching and scanning probe microscopy
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通过选择性湿法化学蚀刻和扫描探针显微镜研究 SiGe 岛的特性
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
G. Katsaros
中科院分区：
文献类型：
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作者：
G. Katsaros
•-450 • C) die gleiche ist, wie die der freistehenden Inseln。 Für die Inseln，die bei 580 • C è uberwachsen worden sind, zeigt es sich, dass trotz morphologischeněAnderungen der Ge-reiche Teil noch Existiert。温度达到 580°C 时，温度将达到 580°C。
•-450 • C) die gleiche ist, wie die der freistehenden Inseln. Für die Inseln, die bei 580 • C ¨ uberwachsen worden sind, zeigt es sich, dass trotz morphologischen¨Anderungen der Ge-reiche Teil noch existiert. Dieses weisst darauf hin, dass zumindestens bis zur Temperatur von 580 • C keine Massendiffusion stattfindet.