浸透法で作製したMgB2バルク超伝導体の磁束ピン止め特性
浸透法で作製したMgB2バルク超伝導体の磁束ピン止め特性
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渗透法制备MgB2体超导体的磁通钉扎特性
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
内藤智之，荻野 新，藤代博之
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. D. Ainslie;H. Mochizuki;H. Fujishiro;W. Zhai;Yun-hua Shi;A. Dennis;D. A. Cardwell;内藤智之，荻野 新，藤代博之
