Calculation of Interfacial Dislocation Structures: Revisit to the O-lattice Theory
Calculation of Interfacial Dislocation Structures: Revisit to the O-lattice Theory
复制标题
界面位错结构的计算：重新审视 O 晶格理论
DOI：
10.1007/s11661-013-1689-8
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发表时间：
2013-03
影响因子：
2.8
通讯作者：
Zhang, Wen-Zheng
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhang, Wen-Zheng
本文阐明了一种计算界面位错结构的几何方法，为进一步松弛提供了几乎唯一的初始位错结构。有效地消除了在指定失配变形和Burgers矢量时的歧义。这种方法的物理基础是假设良好匹配中心(GMS)团簇(GMSC)内的结构与位错之间的保守结构之间的周期性对应。提出了用一对相关的Burgers矢量对每个界面位错进行归属。根据GMSC中的平移对称性来识别来自每个实晶格的一组Burger矢量。建议用广义最小二乘法原理来指导变形矩阵A的建立。应用O-晶格理论对GMSCs在O-元素和O-细胞壁弱匹配区的分布进行了量化。一般半共格界面中位错的组态是根据界面上的有效O-胞壁轨迹来确定的。阐明了描述二次位错的GMS/GMSC与符合位点阵/O晶格的关系。讨论了有关位错描述的几个有争议的问题，包括净Burgers矢含量的分解、参考晶格的影响以及二次位错与原子步长的关系。
This article clarifies a geometric method for calculating interfacial dislocation structures, to provide virtually unique initial dislocation structures for further relaxation. Ambiguities in specifying the misfit deformation and Burgers vectors are effectively eliminated. The physical basis for the method is a hypothesized periodicity correspondence between the structure within a good matching site (GMS) cluster (GMSC) and the conserved structure between dislocations. It is proposed to attribute each interfacial dislocation with a couple of correlated Burgers vectors. A set of Burgers vectors from each real lattice is identified according to the translation symmetry in a GMSC. A GMSC principle is suggested to guide the formulation of the deformation matrixA. The O-lattice theory is applied to quantify the distribution of GMSCs at the O-elements and poor matching regions at the O-cell walls. Configuration of dislocations in a general semicoherent interface is determined according to the effective O-cell wall traces in the interface. The relationship between GMS/GMSC and coincidence-site-lattice/O-lattice is elucidated for describing secondary dislocations. Several controversial issues on dislocation descriptions are discussed, including the decomposition of a net Burgers vector content, the influence of reference lattice, and the relationship between secondary dislocations and atomic steps.
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影响因子：
1.6
作者：
Wen-Zheng Zhang;G. Purdy
通讯作者：
Wen-Zheng Zhang;G. Purdy
DOI：
10.1007/bf02649037
发表时间：
1994-09-01
影响因子：
2.8
作者：
SHIFLET, GJ;VANDERMERWE, JH
通讯作者：
VANDERMERWE, JH
DOI：
10.1146/annurev.ms.03.080173.001551
发表时间：
1973-08
期刊：
Annual Review of Materials Science
影响因子：
--
作者：
G. Meyrick;G. W. Powell
通讯作者：
G. Meyrick;G. W. Powell
DOI：
10.1098/rsta.1983.0020
发表时间：
1983-03
期刊：
Philosophical Transactions of the Royal Society of London. Series A, Mathematical and Physical Sciences
影响因子：
--
作者：
A. Sutton;V. Vítek
通讯作者：
A. Sutton;V. Vítek
影响因子：
1.6
作者：
K. Knowles
通讯作者：
K. Knowles