In-situ Etching in MOCPE for Thin Collector of InP HBT with Buried SiO_2 Wire
In-situ Etching in MOCPE for Thin Collector of InP HBT with Buried SiO_2 Wire
复制标题
埋入SiO_2线的InP HBT薄集电极MOCPE原位刻蚀
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y.Miyamoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K.Mizutani;T.Miyamoto;K.Sakaguchi;K.Araki;Y.Miyamoto
