Morphological study of GaN layers grown on porous silicon
Morphological study of GaN layers grown on porous silicon
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多孔硅上生长的GaN层的形貌研究
DOI：
10.1016/s0921-5107(02)00015-6
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发表时间：
2002
影响因子：
3.6
通讯作者：
B. Jani
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
A. Missaoui;H. Ezzaouia;B. Bessais;T. Boufaden;A. Matoussi;M. Bouaïcha;B. Jani
