ECRプラズマ界面窒化によるALD-Al2O3/InGaAs MOSキャパシタの界面特性向上
ECRプラズマ界面窒化によるALD-Al2O3/InGaAs MOSキャパシタの界面特性向上
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ECR等离子体界面氮化改善ALD-Al2O3/InGaAs MOS电容器界面特性
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
高木信一
中科院分区：
文献类型：
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作者：
星井拓也;横山正史;山田永;秦雅彦;安田哲二;竹中充;高木信一
