Fabrication of 4H-SiC MOSFETs Using Stacked Al_2O_3 Gate Insulator with Pre-Annealed Al_2O_3 Buffer Layer
Fabrication of 4H-SiC MOSFETs Using Stacked Al_2O_3 Gate Insulator with Pre-Annealed Al_2O_3 Buffer Layer
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使用带有预退火 Al_2O_3 缓冲层的堆叠 Al_2O_3 栅极绝缘体制造 4H-SiC MOSFET
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and E.Tokumitsu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H.Yamada;S.Hino;N.Miura;M.Imaizumi;S.Yamakawa;and E.Tokumitsu
