A Sub-microwatt Threshold Raman Silicon Laser Using a High-Q Nanocavity
A Sub-microwatt Threshold Raman Silicon Laser Using a High-Q Nanocavity
复制标题
使用高 Q 纳米腔的亚微瓦阈值拉曼硅激光器
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Susumu Noda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Daiki Yamashita;Yasushi Takahashi;Takashi Asano;and Susumu Noda
影响因子：
41.2
作者：
Song, BS;Noda, S;Akahane, Y
通讯作者：
Akahane, Y