Metamorphic InGaAs p-i-n Photodetectors with 1.75 m Cut-Off Wavelength Grown on GaAs

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1.75 的变质 InGaAs p-i-n 光电探测器

DOI:
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发表时间:
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期刊:
CHIN. PHYS. LETT.
影响因子:
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通讯作者:
韩勤
韩勤
中科院分区:
其他
文献类型:
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作者:
韩勤

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