Detection of Thermal Energy Loss of the photoexcited Carriers in Polycrystalline Silicon p-n Junction Interface Region by a Piezoelectric Photothermal Study
Detection of Thermal Energy Loss of the photoexcited Carriers in Polycrystalline Silicon p-n Junction Interface Region by a Piezoelectric Photothermal Study
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通过压电光热研究检测多晶硅 p-n 结界面区域光激发载流子的热能损失
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Ikari
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H.Tamura;A.Fukuyama;K.Sakai;T.Ikari
