低消費LSIのためのIII-V族半導体およびGe/ひずみSOIトンネルFETテクノロジー
低消費LSIのためのIII-V族半導体およびGe/ひずみSOIトンネルFETテクノロジー
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用于低功率 LSI 的 III-V 半导体和 Ge/应变 SOI 隧道 FET 技术
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
竹中充
中科院分区：
文献类型：
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作者：
高木信一;金閔洙;野口宗隆;ジ・サンミン;西康一;竹中充
