Mechanisms of initial oxidation of 4H-SiC (0001) and (000-1) surfaces unraveled by first-principles calculations
Mechanisms of initial oxidation of 4H-SiC (0001) and (000-1) surfaces unraveled by first-principles calculations
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第一性原理计算揭示了 4H-SiC (0001) 和 (000-1) 表面的初始氧化机制
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Yu-ichiro Matsushita and Atsushi Oshiyama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
日比聡;沢田優真;岸直希;Yu-ichiro Matsushita and Atsushi Oshiyama
