Enhancing the performance of carrier depletion based silicon electro-optical modulators via slow light propagation
Enhancing the performance of carrier depletion based silicon electro-optical modulators via slow light propagation
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通过慢光传播增强基于载流子耗尽的硅电光调制器的性能
DOI：
10.1109/group4.2011.6053829
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
J. Marti
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Brimont;D. Thomson;P. Sanchis;J. Herrera;F. Gardes;J. Fédéli;G. Reed;J. Marti
利用纳米结构的一维（1D）周期性波导的慢光增强，在基于pn结中载流子耗尽的CMOS兼容的500 μ m长的硅电光器件中演示了高达40 Gb/s的调制。
Slow light enhancement via a nanostructured one-dimensional (1D) periodic waveguide is exploited to demonstrate up to 40Gb/s modulation in a CMOS compatible 500 µm-long silicon electro-optical device based on carrier depletion in a pn junction.