Short-wavelength intersubband transitions down to 1.6 μm in ZnSe/BeTe type-II superlattices
Short-wavelength intersubband transitions down to 1.6 μm in ZnSe/BeTe type-II superlattices
复制标题
ZnSe/BeTe II 型超晶格中短波长子带间跃迁低至 1.6 μm
DOI：
10.1063/1.1343843
复制
发表时间：
2001
影响因子：
4
通讯作者：
S. Kobayashi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
R. Akimoto;Y. Kinpara;K. Akita;F. Sasaki;S. Kobayashi
本文报道了ZnSe/BeTe Ⅱ型超晶格的光致电子子带间吸收。在ZnSe层厚度为4.5 ML的ZnSe/BeTe超晶格中，子带间跃迁波长短至1.6 μm，在其吸收带宽（~ 250 nm）内覆盖了1.55 μm的光通信波长。光致子带间吸收的强度随泵浦强度呈亚线性增加，反映了具有II型能带排列的异质结构中电子-空穴对的特征复合过程。
We report photoinduced electron intersubband absorption in ZnSe/BeTe type-II superlattices. The wavelength of the intersubband transition as short as 1.6 μm, covering the 1.55 μm optical communication wavelengths within its absorption band width (∼250 nm), is achieved in the ZnSe/BeTe SLs with 4.5 ML-thick ZnSe layers. The intensity in photoinduced intersubband absorption increases sublinearly with pump intensity, reflecting the characteristic recombination processes of electron-hole pairs in a heterostructure with type-II band alignment.
影响因子：
4
作者：
WEST, LC;EGLASH, SJ
通讯作者：
EGLASH, SJ