A Vertical Channel Ferroelectric/Anti-Ferroelectric FET with ALD InOx and Field-Induced Polar-Axis Alignment for 3D High-Density Memory
A Vertical Channel Ferroelectric/Anti-Ferroelectric FET with ALD InOx and Field-Induced Polar-Axis Alignment for 3D High-Density Memory
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用于 3D 高密度存储器的具有 ALD InOx 和场感应极轴对准的垂直通道铁电/反铁电 FET
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Masaharu Kobayashi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Zhuo Li;Jixuan Wu;Xiaoran Mei;Xingyu Huang;Takuya Saraya;Toshiro Hiramoto;Takanori Takahashi;Mutsunori Uenuma;Yukiharu Uraoka;and Masaharu Kobayashi
