Tetsuo ENDOH: "An Accurate Model of Fully-Depleted Surrounding Gate Transistor (FD-SGT)" IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS. E80-C,No.7. 905-910 (1997)
Tetsuo ENDOH: "An Accurate Model of Fully-Depleted Surrounding Gate Transistor (FD-SGT)" IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS. E80-C,No.7. 905-910 (1997)
复制标题
Tetsuo ENDOH：“全耗尽环栅晶体管 (FD-SGT) 的精确模型”IEICE 电子交易。
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
