H.Matsuhashi: "Self-Aligned Barrier Layer Formation for Fully-Selfaligned-Metallization MOSFET" Advanced Metallization and Interconnect Systems for ULSI Applications in 1996. 253-256 (1996)
H.Matsuhashi: "Self-Aligned Barrier Layer Formation for Fully-Selfaligned-Metallization MOSFET" Advanced Metallization and Interconnect Systems for ULSI Applications in 1996. 253-256 (1996)
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H.Matsuhashi：“用于完全自对准金属化 MOSFET 的自对准势垒层形成”，1996 年用于 ULSI 应用的先进金属化和互连系统。253-256 (1996)
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