Y.Yamakawa et al.: "A New Etching of SiO2 with Ultrahigh Rate and selectivity Using Microwave Excited Non-equilibrium Atmospheric Pressure Plasma"Proc.of International Symposium on Dry Process. 277-282 (2003)
Y.Yamakawa et al.: "A New Etching of SiO2 with Ultrahigh Rate and selectivity Using Microwave Excited Non-equilibrium Atmospheric Pressure Plasma"Proc.of International Symposium on Dry Process. 277-282 (2003)
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Y.Yamakawa 等人：“利用微波激发非平衡大气压等离子体对 SiO2 进行超高速率和选择性的新蚀刻”，国际干法研讨会论文集。
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