Characterization of Electronic Charged States of Impurity Doped Si Quantum Dots Using AFM/Kelvin Probe Technique
Characterization of Electronic Charged States of Impurity Doped Si Quantum Dots Using AFM/Kelvin Probe Technique
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使用 AFM/开尔文探针技术表征掺杂硅量子点的电子带电状态
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K.Makihara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S.y-.Lee;H.Ito;S.Amakawa;S.Tanoi;N.Ishihara;K.Masu;榎波康文;K.Makihara
