シミュレーションによるアモルファスSiO2/SiC界面の生成 ~温度条件による界面構造の違い~

シミュレーションによるアモルファスSiO2/SiC界面の生成 ~温度条件による界面構造の違い~
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通过模拟生成非晶态 SiO2/SiC 界面〜根据温度条件的界面结构差异〜

DOI:
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发表时间:
2007
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
吉川正人
吉川正人
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
宮下敦巳;大沼敏治;岩沢美佐子;土田秀一;吉川正人

文献摘要

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