A. Yamashiki and T. Nishinaga: "Arsenic pressure dependence of incorporation diffusion length on (001) and (110) surface and inter-surface diffusion in MBE of GaAs"J. Crystal Growth. 198/199. 1125-1129 (1999)
A. Yamashiki and T. Nishinaga: "Arsenic pressure dependence of incorporation diffusion length on (001) and (110) surface and inter-surface diffusion in MBE of GaAs"J. Crystal Growth. 198/199. 1125-1129 (1999)
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A. Yamashiki 和 T. Nishinaga：“GaAs MBE 中（001）和（110）表面掺入扩散长度和表面间扩散的砷压力依赖性”J。
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