Suppression of Surface States inside Conduction Band and Effective Mobility Improvement of Ge nMOSFETs by Atomic Deuterium Annealing
Suppression of Surface States inside Conduction Band and Effective Mobility Improvement of Ge nMOSFETs by Atomic Deuterium Annealing
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通过原子氘退火抑制导带内的表面态并有效提高 Gen nMOSFET 的迁移率
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Takenaka and S. Takagi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. Zhang;J-C. Lin;X. Yu;M. Takenaka and S. Takagi
