窒素ドープボディを用いた反転層ダイヤモンドMOSFETの特性

窒素ドープボディを用いた反転層ダイヤモンドMOSFETの特性
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采用氮掺杂体的反型层金刚石 MOSFET 的特性

DOI:
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发表时间:
2019
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
徳田 規夫
徳田 規夫
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
松本 翼;桜井 海匡,山河 智哉;加藤 宙光;牧野 俊晴;小倉 政彦;竹内 大輔;猪熊 孝夫;山崎 聡;徳田 規夫

文献摘要

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