Possibility of Exciton Binding to Ionized Impurities in Semiconductors
Possibility of Exciton Binding to Ionized Impurities in Semiconductors
复制标题
激子与半导体中电离杂质结合的可能性
DOI：
10.1103/physrev.178.1526
复制
发表时间：
1969
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
J. Lévy
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
J. Lévy
