High-Performance Enhancement-Mode Al2O3/AlGaN/GaN-on-Si MISFETs with 626MW/cm2 Figure of Merit
High-Performance Enhancement-Mode Al2O3/AlGaN/GaN-on-Si MISFETs with 626MW/cm2 Figure of Merit
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具有 626MW/cm2 品质因数的高性能增强型 Al2O3/AlGaN/GaN-on-Si MISFET
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Bo Zhang
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Xinyu Liu;Xu Bao;Jinyu Mou;Bo Zhang
