Determination of Charge Centroid and Density of Holes Trapped in Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor-type Non-Volatile Memory Devices
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金属-氧化物-氮化物-氧化物-半导体型非易失性存储器件中电荷质心和俘获空穴密度的测定
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Kiyoteru Kobayashi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Mino Hiroshi;Kobayashi Kiyoteru;Rahul Agrawal and Kiyoteru Kobayashi;R. Agrawal and K. Kobayashi;Rahul Agrawal and Kiyoteru Kobayashi;Kiyoteru Kobayashi
