Ultra-thin GeO2 Formation by OxygenRadicals (O^*) for Advanced Ge Gate Stacks-Reaction kinetics, film quality and MIS characteristics -
Ultra-thin GeO2 Formation by OxygenRadicals (O^*) for Advanced Ge Gate Stacks-Reaction kinetics, film quality and MIS characteristics -
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通过 OxygenRadicals (O^*) 形成超薄 GeO2，用于先进的 Ge 栅极堆栈 - 反应动力学、薄膜质量和 MIS 特性 -
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and A. Toriumi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
W. J. Song;W. F. Zhanq;C. H. Lee;T. Nishimura;and A. Toriumi
