Optical properties of GalnP/GaAs : Er. O/GalnP laser diodes on p-typeGaAs substrates grown by organometallic vapor phase epitaxy

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GalnP/GaAs 的光学特性：Er。

DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
IOP Conference Series : Materials Science and Engineering 1
影响因子：
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通讯作者：
Y. OTA
Y. OTA
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
安井遼;鈴木雄斗;松岡成居 熊田亜紀子;日高邦彦;Y. OTA

文献摘要

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