Anomalously Large Difference in Ga Incorporation for AlGaN Grown on the (11-20) and (1-100) Planes under Group-III-Rich Conditions
Anomalously Large Difference in Ga Incorporation for AlGaN Grown on the (11-20) and (1-100) Planes under Group-III-Rich Conditions
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在富含 III 族的条件下，在 (11-20) 和 (1-100) 面上生长的 AlGaN 的 Ga 掺入量存在异常大的差异
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J.Suda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M.Horita;T.Kimoto;J.Suda
