Re-examination of effects of ALD high-k materials on defects reduction in SiGe metal-oxide-semiconductor interfaces
Re-examination of effects of ALD high-k materials on defects reduction in SiGe metal-oxide-semiconductor interfaces
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重新审视 ALD 高 k 材料对 SiGe 金属-氧化物-半导体界面缺陷减少的影响
DOI：
10.1063/5.0061573
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
1.6
通讯作者：
M. Takenaka and S. Takagi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.-E. Lee;K. Toprasertpong;M. Takenaka and S. Takagi
