Electroluminescence characterization of mid-infrared InAsSb/AlInAs multi-quantum well light emitting diodes heteroepitaxially integrated on GaAs and silicon wafers
Electroluminescence characterization of mid-infrared InAsSb/AlInAs multi-quantum well light emitting diodes heteroepitaxially integrated on GaAs and silicon wafers
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异质外延集成在 GaAs 和硅片上的中红外 InAsSb/AlInAs 多量子阱发光二极管的电致发光表征
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2022.126627
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发表时间：
2022
影响因子：
1.8
通讯作者：
Altayar A
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Altayar A
