Structure and electronic properties of defects in hexagonal boron nitride characterized by HR-(S)TEM and EELS
Structure and electronic properties of defects in hexagonal boron nitride characterized by HR-(S)TEM and EELS
复制标题
HR-(S)TEM 和 EELS 表征六方氮化硼缺陷的结构和电子性质
DOI：
--
复制
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
末永 和知
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ovidiu Cretu;Lin Yung-Chang;越野 雅至;Luiz Tizei; 劉 崢;末永 和知
