Influence of growth rate and temperature on InP/GaInAs interface structure analyzed by X-ray CTR scattering measurement
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X射线CTR散射测量分析生长速率和温度对InP/GaInAs界面结构的影响
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Y. Takeda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Tameoka;A. Mori;M. Tabuchi;and Y. Takeda
