Improved Carrier Mobility of Sn-Doped Ge Ultrathin (<50nm) Films on Insulator by a-Si Capping in Solid-Phase Crystallization
Improved Carrier Mobility of Sn-Doped Ge Ultrathin (<50nm) Films on Insulator by a-Si Capping in Solid-Phase Crystallization
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通过固相结晶中的 a-Si 覆盖提高绝缘体上掺锡 Ge 超薄 (<50nm) 薄膜的载流子迁移率
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Taizoh Sadoh
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takaya Nagano;Ryutaro Hara;Kenta Moto;Keisuke Yamamoto;and Taizoh Sadoh
