High-quality semipolar (10-13) AlN epilayers grown on m-plane sapphire substrates by NH3-free high temperature MOCVD
High-quality semipolar (10-13) AlN epilayers grown on m-plane sapphire substrates by NH3-free high temperature MOCVD
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采用无 NH3 高温 MOCVD 在 m 面蓝宝石衬底上生长高质量半极性 (10-13) AlN 外延层
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
X.Q. Shen and K. Kojima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
X.Q. Shen and K. Kojima
