歪を持つグラフェンhBN積層構造の電子状態
歪を持つグラフェンhBN積層構造の電子状態
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应变石墨烯六方氮化硼堆叠结构的电子态
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
石川達也，江上喜幸，明楽浩史
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hiromi Ikeura-Sekiguchi;Tetsuhiro Sekiguchi;石川達也，江上喜幸，明楽浩史
