Performance Recovery of n-channel Perfluoropentacene Thin Film Transistors by High Vacuum Annealing

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高真空退火n沟道全氟并五苯薄膜晶体管的性能恢复

DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
Extended Abstracts of 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials
影响因子：
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通讯作者：
A.Toriumi
A.Toriumi
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
T.Yokoyama;T.Nishimura;K.Kita;K.Kyuno;A.Toriumi

文献摘要

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