負性抵抗デバイスの新時代-共鳴トンネル素子を中心とした超高周波応用の新展開-
負性抵抗デバイスの新時代-共鳴トンネル素子を中心とした超高周波応用の新展開-
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负阻器件新时代——以谐振隧道元件为中心的超高频应用新进展——
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
前澤宏一
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K.Maezawa;T.Iwase;Y.Ohno;S.Kishimoto;T.Mizutani;M.Takakusaki;H.Nakata;前澤宏一
