Carbon Overlayer on 4H-SiC Surfaces by Plasma Oxidation at near Room Temperature Followed by Wet Etching
Carbon Overlayer on 4H-SiC Surfaces by Plasma Oxidation at near Room Temperature Followed by Wet Etching
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在近室温下通过等离子体氧化和湿法蚀刻在 4H-SiC 表面形成碳覆盖层
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Morita and K. Arima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Hosoo;R. Ito;K. Kawai;Y. Sano;M. Morita and K. Arima
