The effect of post metallization annealing sequence on the Pt gate etching immunity of MFSFET with ferroelectric non-doped HfO2
The effect of post metallization annealing sequence on the Pt gate etching immunity of MFSFET with ferroelectric non-doped HfO2
复制标题
金属化后退火顺序对铁电非掺杂 HfO2 MFSFET 的 Pt 栅极抗蚀刻能力的影响
DOI：
--
复制
发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
and Shun-ichiro Ohmi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Xinyue Zhang;Joong-Won Shin;Masakazu Tanuma;and Shun-ichiro Ohmi
