Effect of indium incorporation on optical and structural properties of m-plane InGaN/GaN MQW on LiAlO2 substrates
Effect of indium incorporation on optical and structural properties of m-plane InGaN/GaN MQW on LiAlO2 substrates
复制标题
掺入铟对 LiAlO2 衬底上 m 面 InGaN/GaN MQW 光学和结构性能的影响
DOI：
--
复制
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
R. H. Jansen
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
C. Mauder;B. Reuters;K. R. Wang;D. Fahle;A. Trampert;M. V. Rzheutskii;E. Lutsenko;G. P. Yablonskii;J. Woitok;M. Chou;M. Heuken;H. Kalisch;R. H. Jansen
氮化对 LiAlO2 上 MOVPE 生长的 m 面 GaN 层的结构和光学性能的影响
DOI：
10.1002/pssc.200880790
发表时间：
--
期刊：
Physica Status Solidi (c)
影响因子：
--
作者：
C. Mauder;L. Rahimzadeh Khoshroo;H. Behmenburg;B. Reuters;M. Bösing;M. V. Rzheutskii;E. V. Lutsenko;G. P. Yablonskii;J. F. Woitok;M. M. C. Chou;M. Heuken;H. Kalisch;R. H. Jansen
通讯作者：
R. H. Jansen